Skip to Main Content (Press Enter)

Logo UNITO
  • ×
  • Home
  • Pubblicazioni
  • Progetti
  • Persone
  • Competenze
  • Settori
  • Strutture
  • Terza Missione

UNI-FIND
Logo UNITO

|

UNI-FIND

unito.it
  • ×
  • Home
  • Pubblicazioni
  • Progetti
  • Persone
  • Competenze
  • Settori
  • Strutture
  • Terza Missione
  1. Progetti

Doping Compensation in Thin Silicon Sensors: the pathway to Extreme Radiation Environments

Progetto
I sensori al silicio sono stati ampiamente impiegati negli esperimenti di fisica delle alte energie negli ultimi 40 anni, dal loro primo utilizzo in NA11 presso l'SPS (CERN) alla loro applicazione nella progettazione odierna di tracciatori di particelle molto grandi. La capacità dei sensori al silicio di funzionare in ambienti con elevati livelli di radiazione è stata fondamentale per gli esperimenti su macchine acceleratrici con fasci di particelle molto energetici e intensi. I sensori al silicio attualmente disponibili possono operare in modo efficiente fino a fluenze di particelle di 2E16/cm2, mentre i futuri acceleratori di frontiera prevedono l'uso di sensori al silicio in ambienti con fluenze superiori a 5E17/cm2. Se non verrà superato, questo limite impedirà l’uso di sensori al silicio nei futuri esperimenti con i collisori di adroni. CompleX mira ad estendere il campo di funzionamento dei rivelatori al silicio di oltre un ordine di grandezza, fino ad una fluenza di 5E17/cm2. L’idea alla base di questo obiettivo senza precedenti nella tolleranza alle radiazioni si basa su una nuova comprensione della saturazione del danno da radiazione e sui vantaggi che gli impianti compensati apportano alla resistenza alle radiazioni. L'applicazione di queste due innovazioni a sensori di silicio sottili (20–40 micron) con un guadagno interno di 10–20, consentirà la progettazione di sensori in grado di funzionare fino alla fluenza finale. Attualmente sono il PI di tre progetti per lo sviluppo di sensori in silicio per fluenze estreme (eXFlu – INFN, eXFlu-innova – AIDAinnova, FLEX – UNITO), che rappresentano sviluppi preparatori per la proposta CompleX. In questo contesto, ho introdotto alla comunità dei rilevatori il principio della compensazione di atomi droganti nei sensori al silicio. La mia esperienza nella progettazione e nel test di sensori in silicio, il mio coinvolgimento negli studi sulla resistenza alle radiazioni e la mia esperienza nel coordinamento di progetti mi qualificano come esperta riconosciuta nello sviluppo di sensori per fluenze estreme e mi consentono, come PI, di raggiungere gli obiettivi di CompleX.
  • Dati Generali
  • Aree Di Ricerca

Dati Generali

Partecipanti

SOLA Valentina   Responsabile scientifico  

Referenti

LEONE Marco Giovanni   Amministrativo  

Dipartimenti coinvolti

FISICA   Principale  

Tipo

HEU ERC - European Research Council Consolidator Grants

Finanziatore

UNIONE EUROPEA
Ente Finanziatore

Partner

Università degli Studi di TORINO

Contributo Totale (assegnato) Ateneo (EURO)

1.062.162,5€

Periodo di attività

Aprile 1, 2024 - Aprile 1, 2029

Durata progetto

60 mesi

Aree Di Ricerca

Settori (6)


PE2_3 - Experimental particle physics with accelerators - (2022)

Settore FIS/01 - Fisica Sperimentale

CULTURA, ARTE e CREATIVITA' - Fisica e Beni Culturali

SCIENZE MATEMATICHE, CHIMICHE, FISICHE - Cosmologia e Universo

SCIENZE MATEMATICHE, CHIMICHE, FISICHE - Fisica delle Particelle e dei Nuclei

SCIENZE MATEMATICHE, CHIMICHE, FISICHE - Laboratori innovativi, strumentazione e modellizzazione fisica

Parole chiave

new technologies
No Results Found
  • Utilizzo dei cookie

Realizzato con VIVO | Designed by Cineca | 25.5.2.0